제조업체 제품 번호:
IPT60R065S7XTMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPT60R065S7XTMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
상세 설명:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
재고:
12810863
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제출
IPT60R065S7XTMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
CoolMOS™S7
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
12V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 8A, 12V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 490µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
51 nC @ 12 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1932 pF @ 300 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOF-8-2
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
기본 제품 번호
IPT60R065
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
448-IPT60R065S7XTMA1DKR
SP003393016
448-IPT60R065S7XTMA1TR
448-IPT60R065S7XTMA1CT
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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