제조업체 제품 번호:
IPU80R1K0CEAKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPU80R1K0CEAKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-341
재고:
12823335
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPU80R1K0CEAKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™ CE
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.9V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-341
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IPU80R1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IPU80R1K0CEAKMA1
SP001593928
INFINFIPU80R1K0CEAKMA1
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK6Q65W,S1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
75
부품 번호
TK6Q65W,S1Q-DG
단가
0.47
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPU80R1K2P7AKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPU80R1K2P7AKMA1-DG
단가
0.41
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3714L
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
