제조업체 제품 번호:
IPW60R099CPFKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPW60R099CPFKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
재고:
228 새로운 원본 재고 있음
12802561
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제출
IPW60R099CPFKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
31A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2800 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
255W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3-1
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IPW60R099
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPW60R099CSX
IPW60R099CP
IPW60R099CPXK
IPW60R099CPFKSA1-DG
SP000067147
448-IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CP-DG
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
R6046FNZ1C9
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
278
부품 번호
R6046FNZ1C9-DG
단가
7.52
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW38N65M5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STW38N65M5-DG
단가
3.55
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
APT30N60BC6
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
2
부품 번호
APT30N60BC6-DG
단가
5.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STW33N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
98
부품 번호
STW33N60M2-DG
단가
2.48
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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