제조업체 제품 번호:
IPW65R070C6FKSA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPW65R070C6FKSA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
재고:
12803790
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPW65R070C6FKSA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
70mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1.76mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3900 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
391W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3-1
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IPW65R070
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IPW65R070C6-DG
IPW65R070C6FKSA1-DG
448-IPW65R070C6FKSA1
IPW65R070C6
SP000745034
2156-IPW65R070C6FKSA1
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK39N60W5,S1VF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
3172
부품 번호
TK39N60W5,S1VF-DG
단가
2.99
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STWA45N65M5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
339
부품 번호
STWA45N65M5-DG
단가
4.27
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRFU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
IPA65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
