IPW65R150CFDAFKSA1
제조업체 제품 번호:

IPW65R150CFDAFKSA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IPW65R150CFDAFKSA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

재고:

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제출

IPW65R150CFDAFKSA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 900µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
195.3W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IPW65R150

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP000928274
2156-IPW65R150CFDAFKSA1
ROCINFIPW65R150CFDAFKSA1
표준 패키지
240

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STW31N65M5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
6
부품 번호
STW31N65M5-DG
단가
2.20
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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