IQE006NE2LM5CGATMA1
제조업체 제품 번호:

IQE006NE2LM5CGATMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IQE006NE2LM5CGATMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
상세 설명:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

재고:

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제출

IQE006NE2LM5CGATMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
OptiMOS™ 5
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
41A (Ta), 298A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
650mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
82.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5453 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK (TO-251AA)
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IQE006

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR
SP003321480
448-IQE006NE2LM5CGATMA1DKR-DG
448-IQE006NE2LM5CGATMA1DKR
448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT
448-IQE006NE2LM5CGATMA1DKRINACTIVE
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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