제조업체 제품 번호:
IRF3709SPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF3709SPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
12803425
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRF3709SPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2672 pF @ 16 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2832-IRF3709SPBF
*IRF3709SPBF
SP001571378
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
9945
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118-DG
단가
0.58
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN017-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
1868
부품 번호
PSMN017-30BL,118-DG
단가
0.37
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF7467TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRF2807PBF
MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
