제조업체 제품 번호:
IRF3710SPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF3710SPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
12802614
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제출
IRF3710SPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
57A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3130 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
*IRF3710SPBF
SP001559596
64-2159PBF-DG
64-2159PBF
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB80NF10T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
775
부품 번호
STB80NF10T4-DG
단가
1.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PHB27NQ10T,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
7068
부품 번호
PHB27NQ10T,118-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN015-100B,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
2021
부품 번호
PSMN015-100B,118-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN016-100BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3321
부품 번호
PSMN016-100BS,118-DG
단가
0.64
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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