제조업체 제품 번호:
IRF40H210
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF40H210-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
12805895
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRF40H210 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®, StrongIRFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.7V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5406 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
기본 제품 번호
IRF40H210
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRF40H210TR
IRF40H210DKR
SP001571340
IRF40H210CT
IRF40H210-DG
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IRFS33N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
SPD11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3
IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
