제조업체 제품 번호:
IRF5852TR
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF5852TR-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
상세 설명:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
재고:
12809249
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제출
IRF5852TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
400pF @ 15V
전력 - 최대
960mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
IRF58
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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