IRF630NL
제조업체 제품 번호:

IRF630NL

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRF630NL-DG

설명:

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
상세 설명:
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262

재고:

12804520
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제출

IRF630NL 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
575 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
82W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
*IRF630NL
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RCX120N25
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
RCX120N25-DG
단가
1.05
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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