제조업체 제품 번호:
IRF6601
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6601-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
상세 설명:
N-Channel 20 V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
재고:
12803935
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제출
IRF6601 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
26A (Ta), 85A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 26A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3440 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DIRECTFET™ MT
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric MT
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRF6601TR
IRF6601CT
표준 패키지
4,800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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