제조업체 제품 번호:
IRF6611
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6611-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
상세 설명:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
재고:
12804257
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제출
IRF6611 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4860 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric MX
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRF6611CT
IRF6611TR
표준 패키지
4,800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN2R5-30YL,115
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
2090
부품 번호
PSMN2R5-30YL,115-DG
단가
0.39
대체 유형
MFR Recommended
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