제조업체 제품 번호:
IRF6711STR1PBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6711STR1PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
상세 설명:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
재고:
12805867
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRF6711STR1PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1810 pF @ 13 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DIRECTFET™ SQ
패키지 / 케이스
DirectFET™ Isometric SQ
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF6711STRPBF
제조사
International Rectifier
구매 가능 수량
4800
부품 번호
IRF6711STRPBF-DG
단가
0.81
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRFZ44ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IPA80R750P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
