IRF7477PBF
제조업체 제품 번호:

IRF7477PBF

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRF7477PBF-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
상세 설명:
N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

재고:

12805637
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

IRF7477PBF 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2710 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SO
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001575216
표준 패키지
95

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
SI4430BDY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
SI4430BDY-T1-GE3-DG
단가
0.69
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDS8880
제조사
onsemi
구매 가능 수량
16306
부품 번호
FDS8880-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDS6680A
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2496
부품 번호
FDS6680A-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI4430BDY-T1-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2736
부품 번호
SI4430BDY-T1-E3-DG
단가
0.69
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI4686DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
6279
부품 번호
SI4686DY-T1-GE3-DG
단가
0.54
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IRFU3711

MOSFET N-CH 20V 100A IPAK

infineon-technologies

IRFR3709ZTRPBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

infineon-technologies

IRFB7530PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

infineon-technologies

IRF7201

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO