제조업체 제품 번호:
IRF7832Z
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRF7832Z-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
상세 설명:
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
재고:
12805222
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRF7832Z 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3860 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SO
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001554428
표준 패키지
95
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF7832TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
13071
부품 번호
IRF7832TRPBF-DG
단가
0.57
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF7862TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
16061
부품 번호
IRF7862TRPBF-DG
단가
0.41
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SQ4182EY-T1_GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
8137
부품 번호
SQ4182EY-T1_GE3-DG
단가
0.55
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI4166DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5435
부품 번호
SI4166DY-T1-GE3-DG
단가
0.50
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RJK0349DSP-01#J0
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
5000
부품 번호
RJK0349DSP-01#J0-DG
단가
0.58
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
IPP039N04LGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFH4210DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
IPP90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3