IRF8313PBF
제조업체 제품 번호:

IRF8313PBF

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRF8313PBF-DG

설명:

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
상세 설명:
Mosfet Array 30V 9.7A 2W Surface Mount 8-SO

재고:

12805886
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제출

IRF8313PBF 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.7A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
90nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760pF @ 15V
전력 - 최대
2W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SO
기본 제품 번호
IRF8313

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001570694
INFINFIRF8313PBF
2156-IRF8313PBF-IT
표준 패키지
95

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
DMN3015LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
5165
부품 번호
DMN3015LSD-13-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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