제조업체 제품 번호:
IRFB4020PBFXKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFB4020PBFXKMA1-DG
설명:
TRENCH >=100V
상세 설명:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
재고:
13269103
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제출
IRFB4020PBFXKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.9V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
100W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-904
패키지 / 케이스
TO-220-3
추가 정보
다른 이름들
448-IRFB4020PBFXKMA1
SP005826517
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
DIGI 인증
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