제조업체 제품 번호:
IRFB5615PBFXKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFB5615PBFXKMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH
상세 설명:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
13000366
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFB5615PBFXKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1750 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
144W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
추가 정보
다른 이름들
448-IRFB5615PBFXKMA1
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFB5615PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2529
부품 번호
IRFB5615PBF-DG
단가
0.79
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
DMN3061SWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
TSM60NB380CP
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
