제조업체 제품 번호:
IRFH5020TR2PBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFH5020TR2PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
13064169
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제출
IRFH5020TR2PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
포장
Cut Tape (CT)
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
54 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2290 pF @ 100 V
FET 기능
-
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
표준 패키지
400
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TPH6400ENH,L1Q
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
17990
부품 번호
TPH6400ENH,L1Q-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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