제조업체 제품 번호:
IRFH5025TR2PBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFH5025TR2PBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
상세 설명:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
12822638
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제출
IRFH5025TR2PBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2150 pF @ 50 V
FET 기능
-
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerVDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
표준 패키지
400
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI7190DP-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
5485
부품 번호
SI7190DP-T1-GE3-DG
단가
0.76
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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