제조업체 제품 번호:
IRFHM8330TRPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFHM8330TRPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
재고:
12809870
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제출
IRFHM8330TRPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.7W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRFHM8330TRPBFDKR
IRFHM8330TRPBFTR
IRFHM8330TRPBF-DG
SP001556548
IRFHM8330TRPBFCT
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RQ3E130BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1954
부품 번호
RQ3E130BNTB-DG
단가
0.15
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TSM055N03PQ56 RLG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
110
부품 번호
TSM055N03PQ56 RLG-DG
단가
0.23
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMN3010LFG-7
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
23333
부품 번호
DMN3010LFG-7-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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