제조업체 제품 번호:
IRFI4212H-117P
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFI4212H-117P-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
상세 설명:
Mosfet Array 100V 11A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
재고:
12808505
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제출
IRFI4212H-117P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
490pF @ 50V
전력 - 최대
18W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-5 Full Pack
공급업체 장치 패키지
TO-220-5 Full-Pak
기본 제품 번호
IRFI4212
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP001560448
IRFI4212H117P
2156-IRFI4212H-117PINF
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFI4212H-117PXKMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
941
부품 번호
IRFI4212H-117PXKMA1-DG
단가
0.86
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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