제조업체 제품 번호:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
설명:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
상세 설명:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
재고:
396 새로운 원본 재고 있음
13001213
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제출
IRFP4668PBFXKMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
130A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10720 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
520W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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