제조업체 제품 번호:
IRFR2605
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFR2605-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
상세 설명:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
재고:
12806238
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFR2605 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
85mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
50W (Tc)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IPP12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
IRLR2908PBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
IRLU014NPBF
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK