IRFR3410PBF
제조업체 제품 번호:

IRFR3410PBF

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRFR3410PBF-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

재고:

12803737
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제출

IRFR3410PBF 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
31A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1690 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

데이터 시트 및 문서

데이터시트
설계 리소스
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-IRFR3410PBF-IT
*IRFR3410PBF
64-4131PBF
SP001555056
64-4131PBF-DG
IFEINFIRFR3410PBF
표준 패키지
75

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STD25NF10LT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4741
부품 번호
STD25NF10LT4-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD35N10S3L26ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
2802
부품 번호
IPD35N10S3L26ATMA1-DG
단가
0.56
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPD30N10S3L34ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
35870
부품 번호
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
단가
0.48
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
DMNH10H028SK3-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
0
부품 번호
DMNH10H028SK3-13-DG
단가
0.48
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD25NF10T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1915
부품 번호
STD25NF10T4-DG
단가
0.68
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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