제조업체 제품 번호:
IRFU15N20DPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRFU15N20DPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
상세 설명:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
재고:
12806519
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRFU15N20DPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
110W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK (TO-251AA)
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
*IRFU15N20DPBF
SP001576362
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
SPB35N10 G
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
