제조업체 제품 번호:
IRL40S212
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRL40S212-DG
설명:
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12806794
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제출
IRL40S212 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
StrongIRFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
195A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
137 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
8320 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
231W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IRL40
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRL40S212DKR-DG
IRL40S212CT
IRL40S212CT-DG
IRL40S212TR-DG
IRL40S212TRINACTIVE
IRL40S212DKRINACTIVE
SP001568454
IRL40S212TR
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
NP100N04PUK-E1-AY
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
1600
부품 번호
NP100N04PUK-E1-AY-DG
단가
1.30
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRL40S212ARMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
25600
부품 번호
IRL40S212ARMA1-DG
단가
1.07
대체 유형
Direct
부품 번호
SQM120N04-1M7L_GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2298
부품 번호
SQM120N04-1M7L_GE3-DG
단가
1.40
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AOB240L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
4559
부품 번호
AOB240L-DG
단가
0.77
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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