IRL80HS120
제조업체 제품 번호:

IRL80HS120

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

IRL80HS120-DG

설명:

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
상세 설명:
N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)

재고:

35804 새로운 원본 재고 있음
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제출

IRL80HS120 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 10µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
11.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
패키지 / 케이스
6-PowerVDFN
기본 제품 번호
IRL80HS120

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR
표준 패키지
4,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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