제조업체 제품 번호:
IRLML6401GTRPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRLML6401GTRPBF-DG
설명:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
상세 설명:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
재고:
12822968
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제출
IRLML6401GTRPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
950mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
830 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.3W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBFCTINACTIVE
SP001568584
IRLML6401GTRPBFDKRINACTIVE
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFTRINACTIVE
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PJA3415AE_R1_00001
제조사
Panjit International Inc.
구매 가능 수량
32375
부품 번호
PJA3415AE_R1_00001-DG
단가
0.07
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRLML6401TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
40009
부품 번호
IRLML6401TRPBF-DG
단가
0.09
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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