제조업체 제품 번호:
IRLU024NPBF
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRLU024NPBF-DG
설명:
MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
상세 설명:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
재고:
1893 새로운 원본 재고 있음
12807062
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRLU024NPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
Tube
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
45W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK (TO-251AA)
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
IRLU024
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
64-4164PBF-DG
64-4164PBF
SP001553260
*IRLU024NPBF
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SPI07N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
SPP02N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3
IRF7453PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
