제조업체 제품 번호:
IRLU3303
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IRLU3303-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
상세 설명:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 68W (Tc) Through Hole IPAK
재고:
12805653
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRLU3303 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
31mOhm @ 21A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
68W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
데이터 시트 및 문서
데이터시트
설계 리소스
추가 정보
다른 이름들
*IRLU3303
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SPS01N60C3
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
IRF7324D1TR
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
