제조업체 제품 번호:
SPB04N50C3ATMA1
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
SPB04N50C3ATMA1-DG
설명:
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 560 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
12807230
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제출
SPB04N50C3ATMA1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
560 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.9V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
50W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
SPB04N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SPB04N50C3XT
SPB04N50C3-DG
SPB04N50C3INDKR-DG
SPB04N50C3INDKR
2156-SPB04N50C3ATMA1-ITTR
SPB04N50C3INTR-DG
IFEINFSPB04N50C3ATMA1
SPB04N50C3ATMA1TR
SPB04N50C3INTR
SP000014477
SPB04N50C3ATMA1DKR
SPB04N50C3INCT-DG
SPB04N50C3INCT
SPB04N50C3
SPB04N50C3ATMA1CT
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF830STRLPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1310
부품 번호
IRF830STRLPBF-DG
단가
0.91
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB11NK50ZT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
872
부품 번호
STB11NK50ZT4-DG
단가
1.34
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF830SPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
1095
부품 번호
IRF830SPBF-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF830ASPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
556
부품 번호
IRF830ASPBF-DG
단가
0.83
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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