SPP80N06S2L-11
제조업체 제품 번호:

SPP80N06S2L-11

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

SPP80N06S2L-11-DG

설명:

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

재고:

12806108
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제출

SPP80N06S2L-11 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 93µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2650 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
158W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SPP80N

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-SPP80N06S2L-11-IT
SP000013584
SPP80N06S2L11
INFINFSPP80N06S2L-11
표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FDP047AN08A0
제조사
onsemi
구매 가능 수량
1868
부품 번호
FDP047AN08A0-DG
단가
1.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP60NF06L
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
994
부품 번호
STP60NF06L-DG
단가
0.80
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP80NF55-06
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
999
부품 번호
STP80NF55-06-DG
단가
1.54
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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