SPU02N60C3BKMA1
제조업체 제품 번호:

SPU02N60C3BKMA1

Product Overview

제조사:

Infineon Technologies

부품 번호:

SPU02N60C3BKMA1-DG

설명:

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21

재고:

12807679
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SPU02N60C3BKMA1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
CoolMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.9V @ 80µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO251-3-21
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
SPU02N60

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SPU02N60C3X
Q67040S4659
SPU02N60C3XK
SPU02N60C3
SP000015064
SPU02N60C3-DG
SPU02N60C3BKMA1-DG
448-SPU02N60C3BKMA1
표준 패키지
1,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STD3N62K3
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
3586
부품 번호
STD3N62K3-DG
단가
0.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TSM4NB65CH C5G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
10528
부품 번호
TSM4NB65CH C5G-DG
단가
0.36
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STU6N65M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
543
부품 번호
STU6N65M2-DG
단가
0.44
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IRLML2803GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

infineon-technologies

SPU07N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3

infineon-technologies

SPB100N03S2-03

MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3

infineon-technologies

SPP24N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3