제조업체 제품 번호:
IRF430
Product Overview
제조사:
International Rectifier
부품 번호:
IRF430-DG
설명:
500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
상세 설명:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
재고:
7370 새로운 원본 재고 있음
12946711
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IRF430 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
75W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-204AA (TO-3)
패키지 / 케이스
TO-204AA, TO-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IRF430
IRFIRFIRF430
표준 패키지
198
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
관련 상품
FDMC8327L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF5N90
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD6612A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
