제조업체 제품 번호:
IRFH8316TRPBF-IR
Product Overview
제조사:
International Rectifier
부품 번호:
IRFH8316TRPBF-IR-DG
설명:
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
상세 설명:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
6260 새로운 원본 재고 있음
12942882
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제출
IRFH8316TRPBF-IR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3610 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-IRFH8316TRPBF-IR
IFEIRFIRFH8316TRPBF
표준 패키지
866
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
Not applicable
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
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