제조업체 제품 번호:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
제조사:
International Rectifier
부품 번호:
IRFHS8242TRPBF-DG
설명:
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
상세 설명:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
재고:
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제출
IRFHS8242TRPBF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
포장
Bulk
시리즈
HEXFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
653 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스
6-PowerVDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF
표준 패키지
1,689
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8542.39.0001
DIGI 인증
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