IXFA10N80P
제조업체 제품 번호:

IXFA10N80P

Product Overview

제조사:

IXYS

부품 번호:

IXFA10N80P-DG

설명:

MOSFET N-CH 800V 10A TO263
상세 설명:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

재고:

12908046
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제출

IXFA10N80P 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™, Polar
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263AA (IXFA)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IXFA10

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
-IXFA10N80P
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STB6N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
11994
부품 번호
STB6N60M2-DG
단가
0.57
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