제조업체 제품 번호:
IXFA12N65X2
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFA12N65X2-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
상세 설명:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
재고:
288 새로운 원본 재고 있음
12914115
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXFA12N65X2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™, Ultra X2
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1134 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263AA (IXFA)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IXFA12
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRFP054PBF
MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
