제조업체 제품 번호:
IXFA4N100P
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFA4N100P-DG
설명:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
상세 설명:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
재고:
12819527
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXFA4N100P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™, Polar
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1456 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263AA (IXFA)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IXFA4N100
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFBF30STRLPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
911
부품 번호
IRFBF30STRLPBF-DG
단가
1.50
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
IXFT13N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A TO268
IXFR200N10P
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
IXTP180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB