제조업체 제품 번호:
IXFH32N100X
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFH32N100X-DG
설명:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
상세 설명:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247
재고:
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제출
IXFH32N100X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™, Ultra X
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
6V @ 4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4075 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
890W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IXFH32
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SCT3160KLGC11
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2223
부품 번호
SCT3160KLGC11-DG
단가
5.38
대체 유형
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