제조업체 제품 번호:
IXFH50N20
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFH50N20-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
상세 설명:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
재고:
12823392
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제출
IXFH50N20 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
HiPerFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AD (IXFH)
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IXFH50
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IXFH50N20-NDR
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFP260MPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
8078
부품 번호
IRFP260MPBF-DG
단가
1.17
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대체 유형
Upgrade
DIGI 인증
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