제조업체 제품 번호:
IXFK26N120P
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFK26N120P-DG
설명:
MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA
상세 설명:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
재고:
50 새로운 원본 재고 있음
12822407
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXFK26N120P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™, Polar
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
26A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
460mOhm @ 13A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
6.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
16000 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
960W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스
TO-264-3, TO-264AA
기본 제품 번호
IXFK26
추가 정보
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
VM0550-2F
MOSFET N-CH 100V 590A MODULE
IRF7455
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
BUK9E1R9-40E,127
MOSFET N-CH 40V I2PAK
