제조업체 제품 번호:
IXFV12N80P
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFV12N80P-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
상세 설명:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220
재고:
12819740
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제출
IXFV12N80P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
HiPerFET™, PolarHT™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2800 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
360W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PLUS220
패키지 / 케이스
TO-220-3, Short Tab
기본 제품 번호
IXFV12
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPP08N80C3XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1997
부품 번호
SPP08N80C3XKSA1-DG
단가
1.00
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Infineon Technologies
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단가
0.81
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