제조업체 제품 번호:
IXFX120N20
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFX120N20-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
상세 설명:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
재고:
12821288
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제출
IXFX120N20 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9100 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
560W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PLUS247™-3
패키지 / 케이스
TO-247-3 Variant
기본 제품 번호
IXFX120
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IFX120N20
IXFX120N20-NDR
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFP90N20DPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
574
부품 번호
IRFP90N20DPBF-DG
단가
3.02
대체 유형
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