제조업체 제품 번호:
IXFX34N80
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXFX34N80-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
상세 설명:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
재고:
12818890
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXFX34N80 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
HiPerFET™
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
34A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
240mOhm @ 17A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7500 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
560W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PLUS247™-3
패키지 / 케이스
TO-247-3 Variant
기본 제품 번호
IXFX34
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IXFX34N80-NDR
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SPW17N80C3FKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
452
부품 번호
SPW17N80C3FKSA1-DG
단가
2.35
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
IXTK8N150L
MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
IXTA76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
