제조업체 제품 번호:
IXTA20N65X
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXTA20N65X-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
상세 설명:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TO-263AA
재고:
12820126
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXTA20N65X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
Ultra X
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
210mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1390 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
320W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263AA
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IXTA20
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB60R280P7ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1086
부품 번호
IPB60R280P7ATMA1-DG
단가
0.85
대체 유형
Similar
부품 번호
SPB17N80C3ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1942
부품 번호
SPB17N80C3ATMA1-DG
단가
2.06
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
IXTV26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
IXTQ50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
IXFR26N120P
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
