제조업체 제품 번호:
IXTH13N110
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXTH13N110-DG
설명:
MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
상세 설명:
N-Channel 1100 V 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
재고:
12820921
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제출
IXTH13N110 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
-
시리즈
MegaMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
920mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5650 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
360W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IXTH13
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
IXTH13N110-NDR
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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