제조업체 제품 번호:
IXTH64N65X
Product Overview
제조사:
IXYS
부품 번호:
IXTH64N65X-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
상세 설명:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
재고:
12821646
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IXTH64N65X 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Littelfuse
포장
Tube
시리즈
Ultra X
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
64A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
51mOhm @ 32A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
890W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247 (IXTH)
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
IXTH64
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
-IXTH64N65X
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPW60R060P7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
60
부품 번호
IPW60R060P7XKSA1-DG
단가
3.01
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
IXTN550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247